2. ZQ校准：

ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

3. 参考电压分成两个：

对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。

4. 根据温度自动自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）：

为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。

5. 局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）：

这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似。

6. 点对点连接（P2P，Point-to-Point）：

这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（P22P，Point-to-two-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。

DDR3带给移动平台什么

DDR3其实早在登录台式机和笔记本电脑平台的时候，就已经在显存领域试水了，它的高带宽让显卡的性能又一次获得了提升。那么DDR3应用到笔记本电脑的移动领域，又将会带来什么样的新局面呢？

从前面的参数对比上，我们已经看到，除了性能上的进步之外，DDR3比DDR2的能耗更低。能耗，对于移动平台来说，是一个关系到电池能力，发热量，甚至外形设计的一个重要关键词。虽然内存的功耗不至于有发一而动全身的影响力，但至少有几点是可以肯定的。

在系统运行和待机状态下，DDR3内存可以让电池获得更多的使用时间。与DDR2内存相比，DDR3可以增加10多分钟的HD DVD回放时间。DDR3内存的发热量更低，其散热范围为3瓦时，它能满足Windows Premium和HD DVD标识要求，更符合能源之星的标准要求，在更小的发热量下，笔记本电脑将有可能被设计出更纤小，更紧凑的外形。