美光公司近日宣布，他们已经开始应用34nm新制程，批量生产16Gb和32Gb容量的MLC NAND闪存颗粒。
美光34纳米MLC闪存芯片
新工艺最明显的优势就在于芯片面积的缩小，以及随之带来的成本下降。美光表示，34nm 16Gb MLC NAND颗粒的面积仅有84平方毫米，而32Gb版本则比美光的第一代32Gb芯片面积小17%。新的34nm 16Gb/32Gb MLC颗粒均支持ONFI 2.1接口，最高传输速度可到200MB/s。相比之下，传统的SLC颗粒也不过40MB/s。因此，这样的新颗粒再搭配多路读写技术，制造出的固态硬盘将直指SATA 3Gbps甚至SATA 6Gbps标准的速度极限。
美光34纳米MLC闪存芯片晶圆
另外，美光旗下的存储卡企业Lexar公司也同时宣布，已经将34nm工艺闪存应用在自己的Platinum II系列32GB SDHC卡，以及16GB MicroSDHC卡中。而到今年9月底，Lexar的全系列SD/SDHC/MicroSDHC/CF/MS/M2存储卡和JumpDrive系列闪盘都将使用34nm工艺闪存。
