尽管DDR2有价格低廉，性能不俗等优点，但是随着更多诸如Atlon64 x2和Core2 Quad等多核心高性能处理器的出现，原本已经十分紧缺的系统总线带宽变得更为吃紧。而一些发烧友则选择对内存进行超频以获取更好的性能。但这毕竟只是治标不治本的方法。2007年6月，内存规范组织JEDEC制定了DDR3的相应参数标准，同年，大量顶尖品牌的DDR3内存开始陆续上市。
相比传统DDR2内存，新一代DDR3内存有以下几个优点；
1.得益于预取位数达到8BIT，拥有比DDR2高一倍以上的接口频率，日后甚至能达到高达的预取位数和工作频率。
2.默认主频提升明显，对改善系统性能有显而易见的作用。
3.设计工作电压更低，仅需1.5V即可满足需求，在降低功耗的同时解决了散热的问题。
4.内置8组BANK单元，对大容量内存支持更好，能够轻易达成单条超大容量目的。
DDR3内存的频率从1066MHz起跳，而这一水准恰恰也正是标准DDR2内存的极限频率。DDR3内存的上限可达2400MHz以上，其频率范围之大比DDR+DDR2的总和还高。对于长期处于系统带宽吃紧的内存来说，高频率下无疑能提高系统和游戏的各方面性能。
说起频率就不得不说一下DDR3内存的核心工作频率，和颗粒本身不同的是，每根内存有一个核心工作频率，通常这个频率都为200MHz，而DDR2内存的预取位数在设计时被设定成了4，因此外部接口可以以4倍于核心频率的状态下工作，也就是DDR2 800MHz。而DDR3内存的初始预取位数就被设计成了8，因此其可以工作在1600MHz的高频率，甚至在将来DDR3内存还能支持更高的预取位数，以获取超高频率。
实际上，DDR3内存相比DDR2在架构上并没有太多更新，简单的说起来还不如说成为高频而升级。反倒是对内存有相当分量的延迟参数也相应的增加了不少。在DDR内存时代，CL值通常在3左右，到了DDR2时代则上升到了5，而DDR3内存则增加到了5～11，虽然CL值提高会或多或少的影响内存性能，但介于DDR3内存很容易提升频率，因此在较高的频率下，CL延迟所带来的负面音素将被完全覆盖。
除了频率高性能出色外，DDR3内存的工作电压也有所降低。DDR内存的默认电压在2.5V左右，而到了DDR2内存则降低到了1.8V，到了DDR3内存时代，其电压降低到了1.5V。作为电气设备来说，新设计和新工艺促使内存电压可以运行在更低的电压下，这意味着内存将更加节能，同时其发热量也会相应的降低。除此以外，DDR3内存中的默认BANK数达到前所未有的8个之多，这意味着内存核心可以管理更多的容量，而不必再拘泥于BANK识别问题，即便起跳容量达到2GB也完全不是问题。
